BSC265N10LSFGATMA1 vs IAUC50N08S5L096ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC265N10LSFGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUC50N08S5L096ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
BSC265N10LSFGATMA1 - 100V 40A N-Channel OptiMOS 2 MOSFET | Infineon
BSC265N10LSFGATMA1 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSC265N10LSFGATMA1 | IAUC50N08S5L096ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 40 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 6.5 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 78 W | — |
| Technology | OptiMOS 2 (TrenchFET) | — |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-1 (TDSON-8) | PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss typical] | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +150 C (junction) | -55°C to +175°C |
| MSL লেভেল | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Series | OptiMOS 2 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Series | — | OptiMOS 5 |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 50 A (Tc) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 200 A |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 9.6 mΩ max @ VGS=10V, ID=25A |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Power Dissipation (PD) | — | 60 W (Tc) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |