BSP316PH6327XTSA1 vs BSR802NL6327HTSA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSP316PH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSR802NL6327HTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 - P-Ch 100V 680mA MOSFET | Infineon | SOT-223

BSP316PH6327XTSA1 - P-Ch 100V 680mA MOSFET | Infineon | SOT-223

BSP316PH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSR802NL6327HTSA1 BSR802NL6327HTSA1 - 20V N-Ch 3.7A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSR802NL6327HTSA1 - 20V N-Ch 3.7A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSR802NL6327HTSA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSP316PH6327XTSA1 BSR802NL6327HTSA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type P-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -680 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C 1.8 W —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
প্যাকেজ PG-SOT223-4 (TO-261-4) PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +150 C (junction) —
পিনের সংখ্যা 3 + thermal tab —
Channel Mode Enhancement —
Technology SIPMOS (P-channel MOSFET) OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET)
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
MSL লেভেল 1 —
Packaging Tape & Reel (H6327 suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSR802NL6327HTSA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) max — 3.7 A (Ta=25C)
Power Dissipation (PD) max — 500 mW (Ta=25C)
On-Resistance (RDS(on)) typ — 23 mOhm @ VGS=4.5 V
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55C to +150C
Qualification — Automotive
পিন সংখ্যা — 3

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট