BSP316PH6327XTSA1 vs BSR802NL6327HTSA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSP316PH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSR802NL6327HTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSP316PH6327XTSA1 | BSR802NL6327HTSA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | P-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | -100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | -680 mA | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C | 1.8 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| پیکیج | PG-SOT223-4 (TO-261-4) | PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +150 C (junction) | — |
| پنز کی تعداد | 3 + thermal tab | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Technology | SIPMOS (P-channel MOSFET) | OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 | — |
| Packaging | Tape & Reel (H6327 suffix) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSR802NL6327HTSA1 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 3.7 A (Ta=25C) |
| Power Dissipation (PD) max | — | 500 mW (Ta=25C) |
| On-Resistance (RDS(on)) typ | — | 23 mOhm @ VGS=4.5 V |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55C to +150C |
| Qualification | — | Automotive |
| پن کی تعداد | — | 3 |