BSP316PH6327XTSA1 vs BSR802NL6327HTSA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSP316PH6327XTSA1 bằng Infineon và BSR802NL6327HTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSP316PH6327XTSA1 BSP316PH6327XTSA1 - P-Ch 100V 680mA MOSFET | Infineon | SOT-223

BSP316PH6327XTSA1 - P-Ch 100V 680mA MOSFET | Infineon | SOT-223

BSP316PH6327XTSA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSR802NL6327HTSA1 BSR802NL6327HTSA1 - 20V N-Ch 3.7A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSR802NL6327HTSA1 - 20V N-Ch 3.7A OptiMOS 2 MOSFET | Infineon

BSR802NL6327HTSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSP316PH6327XTSA1 BSR802NL6327HTSA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type P-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -680 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C 1.8 W —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Hộp PG-SOT223-4 (TO-261-4) PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 C to +150 C (junction) —
Số lượng chân 3 + thermal tab —
Channel Mode Enhancement —
Technology SIPMOS (P-channel MOSFET) OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET)
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Cấp MSL 1 —
Packaging Tape & Reel (H6327 suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSR802NL6327HTSA1
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 20 V
Continuous Drain Current (ID) max — 3.7 A (Ta=25C)
Power Dissipation (PD) max — 500 mW (Ta=25C)
On-Resistance (RDS(on)) typ — 23 mOhm @ VGS=4.5 V
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55C to +150C
Qualification — Automotive
Số chân — 3

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá