BSP88H6327XTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSP88H6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSP315PH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 - 240V N-Ch MOSFET 350mA SOT-223 | Infineon

BSP88H6327XTSA1 - 240V N-Ch MOSFET 350mA SOT-223 | Infineon

BSP88H6327XTSA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSP88H6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) 350 mA at Ta=25 C -1.17 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W at Ta=25 C 1.8 W (Ta)
প্যাকেজ PG-SOT223-4 (SOT-223-3) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) 6 ohm typical at VGS=10 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V]
Configuration Single —
অপারেটিং তাপমাত্রা -55 C to +150 C —
Technology SIPMOS (planar enhancement mode) OptiMOS (enhancement mode)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: Qg typical]
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Drain Tab Connection SOT-223 tab is drain —
FET Type — P-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (max)
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55 C to +150 C (junction)
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট