BSP88H6327XTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSP88H6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSP315PH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSP88H6327XTSA1 BSP88H6327XTSA1 - 240V N-Ch MOSFET 350mA SOT-223 | Infineon

BSP88H6327XTSA1 - 240V N-Ch MOSFET 350mA SOT-223 | Infineon

BSP88H6327XTSA1 ✓ فعال
Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSP88H6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) 350 mA at Ta=25 C -1.17 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 1.8 W at Ta=25 C 1.8 W (Ta)
پیکیج PG-SOT223-4 (SOT-223-3) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) 6 ohm typical at VGS=10 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V]
Configuration Single —
آپریٹنگ درجہ حرارت -55 C to +150 C —
Technology SIPMOS (planar enhancement mode) OptiMOS (enhancement mode)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] [DATA_NEEDED: Qg typical]
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Drain Tab Connection SOT-223 tab is drain —
FET Type — P-Channel
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (max)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +150 C (junction)
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں