BSS123NH6327XTSA1 vs BSS123IXTSA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSS123NH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSS123IXTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 - 100V N-Ch 190mA OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS123IXTSA1 - 100V N-Ch 190mA OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS123IXTSA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSS123NH6327XTSA1 BSS123IXTSA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS123NH6327XTSA1 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 190 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
RDS(on) Max 6 Ω @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate-Source Voltage Max (VGS) ±20 V —
প্যাকেজ PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT-23-3 (SOT-23-3)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 °C to +150 °C (junction) -55C to +150C (per family datasheet)
Qualification AEC-Q101 (automotive) Industrial
RoHS Compliance Yes (Pb-free lead plating) —
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS Small-Signal
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
RDS(on) (typical, VGS=10 V) — 2.4 ohm
RDS(on) (max per family datasheet) — 6 ohm
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free / RoHS — Yes (per distributor listing)
Gate Drive Logic Level — Logic-level compatible

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট