BSS123NH6327XTSA1 vs BSS123IXTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSS123NH6327XTSA1 توسط Infineon و BSS123IXTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSS123NH6327XTSA1 BSS123IXTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS123NH6327XTSA1 —
Part Status Active —
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 190 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
RDS(on) Max 6 Ω @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)] [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Gate-Source Voltage Max (VGS) ±20 V —
بسته‌بندی PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT-23-3 (SOT-23-3)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55 °C to +150 °C (junction) -55C to +150C (per family datasheet)
Qualification AEC-Q101 (automotive) Industrial
RoHS Compliance Yes (Pb-free lead plating) —
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS Small-Signal
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
RDS(on) (typical, VGS=10 V) — 2.4 ohm
RDS(on) (max per family datasheet) — 6 ohm
Configuration — Single N-Channel
Lead-Free / RoHS — Yes (per distributor listing)
Gate Drive Logic Level — Logic-level compatible

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت