BSS138LT1G-VB vs BSS138NH6327XTSA2 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSS138LT1G-VB নির্দিষ্ট VBsemi Elec ও BSS138NH6327XTSA2 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSS138LT1G-VB | BSS138NH6327XTSA2 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | VBsemi Elec | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 50 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 200 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (Pd) | 225 mW (Ta) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| প্যাকেজ | SOT-23-3 (TO-236) | PG-SOT-23 (3-pin) |
| Configuration | Single FET | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs th) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| RDS(on) Max | [DATA_NEEDED: RDS(on)] | — |
| Drive Voltage | [DATA_NEEDED: drive voltage] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Manufacturer | VBsemi Elec | — |
| Equivalent To | onsemi BSS138LT1G | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | — | 60 V |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 3.5 ohm |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 230 mA |
| Power Dissipation (Ta) | — | 360 mW |
| Gate Threshold V_GS(th) | — | [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value] |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] |
| Gate-Source Voltage V_GS max | — | ±20 V |
| dv/dt Rated | — | Yes |
| হ্যালোজেন মুক্ত | — | Yes (per IEC 61249-2-21) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| AEC-Q101 Qualification | — | Qualified |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| Marking Code | — | [DATA_NEEDED: top-side marking code] |
| Packaging | — | Tape and Reel |