BSS138LT1G-VB vs BSS138NH6327XTSA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS138LT1G-VB tarafından VBsemi Elec ve BSS138NH6327XTSA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

VBsemi Elec
BSS138LT1G-VB BSS138LT1G-VB - 50V 200mA N-Channel MOSFET | VBsemi

BSS138LT1G-VB - 50V 200mA N-Channel MOSFET | VBsemi

BSS138LT1G-VB ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS138LT1G-VB BSS138NH6327XTSA2
Marka VBsemi Elec Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vdss) 50 V —
Continuous Drain Current (Id) 200 mA (Ta) —
Power Dissipation (Pd) 225 mW (Ta) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Paket SOT-23-3 (TO-236) PG-SOT-23 (3-pin)
Configuration Single FET —
Gate Threshold Voltage (Vgs th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
RDS(on) Max [DATA_NEEDED: RDS(on)] —
Drive Voltage [DATA_NEEDED: drive voltage] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg] —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS Durumu Compliant —
Manufacturer VBsemi Elec —
Equivalent To onsemi BSS138LT1G —
Polarity — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 60 V
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 3.5 ohm
Continuous Drain Current (Ta) — 230 mA
Power Dissipation (Ta) — 360 mW
Gate Threshold V_GS(th) — [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Gate-Source Voltage V_GS max — ±20 V
dv/dt Rated — Yes
Klorürsüz — Yes (per IEC 61249-2-21)
RoHS Compliance — Compliant
AEC-Q101 Qualification — Qualified
Lead Plating — Pb-free
Marking Code — [DATA_NEEDED: top-side marking code]
Packaging — Tape and Reel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin