BSS138LT1G-VB vs BSS138NH6327XTSA2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSS138LT1G-VB द्वारा VBsemi Elec और BSS138NH6327XTSA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSS138LT1G-VB | BSS138NH6327XTSA2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | VBsemi Elec | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 50 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | 200 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (Pd) | 225 mW (Ta) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पैकेज | SOT-23-3 (TO-236) | PG-SOT-23 (3-pin) |
| Configuration | Single FET | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs th) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| RDS(on) Max | [DATA_NEEDED: RDS(on)] | — |
| Drive Voltage | [DATA_NEEDED: drive voltage] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Manufacturer | VBsemi Elec | — |
| Equivalent To | onsemi BSS138LT1G | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | — | 60 V |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 3.5 ohm |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 230 mA |
| Power Dissipation (Ta) | — | 360 mW |
| Gate Threshold V_GS(th) | — | [DATA_NEEDED: typical V_GS(th) value] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] |
| Gate-Source Voltage V_GS max | — | ±20 V |
| dv/dt Rated | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes (per IEC 61249-2-21) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| AEC-Q101 Qualification | — | Qualified |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| Marking Code | — | [DATA_NEEDED: top-side marking code] |
| Packaging | — | Tape and Reel |