BSS806NEH6327XTSA1 vs BSS214NH6327XTSA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSS806NEH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSS214NH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSS806NEH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS806NEH6327XTSA1 —
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Mode of Operation Enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V (maximum) 20 V
Continuous Drain Current (ID) 2.3 A (Ta) 1.5 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
On-Resistance RDS(on) 57 mOhm (maximum) —
প্যাকেজ PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
পিন সংখ্যা 3 (Gate, Drain, Source) —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Yes (compliant) —
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +150C (junction)
FET Type — N-Channel
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 250 mOhm at VGS = 4.5 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
Gate-Source Voltage (VGS max) — ±12 V (recommended)
Technology — OptiMOS 2 (planar N-channel)
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Lead Finish — Pb-free lead plating (matte tin)
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant
MSL লেভেল — 1 (per JEDEC J-STD-020)
ESD Protection — Yes (gate ESD diode)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট