BSS806NEH6327XTSA1 vs BSS214NH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS806NEH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSS214NH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 ✓ فعال
Infineon
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS806NEH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS806NEH6327XTSA1 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Mode of Operation Enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V (maximum) 20 V
Continuous Drain Current (ID) 2.3 A (Ta) 1.5 A (Ta)
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) 500 mW (Ta)
On-Resistance RDS(on) 57 mOhm (maximum) —
پیکیج PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Yes (compliant) —
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +150C (junction)
FET Type — N-Channel
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 250 mOhm at VGS = 4.5 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
Gate-Source Voltage (VGS max) — ±12 V (recommended)
Technology — OptiMOS 2 (planar N-channel)
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Lead Finish — Pb-free lead plating (matte tin)
RoHS اسٹیٹس — Compliant
MSL لیول — 1 (per JEDEC J-STD-020)
ESD Protection — Yes (gate ESD diode)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں