BSZ070N08LS5ATMA1 vs BSZ011NE2LS5IATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSZ070N08LS5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSZ011NE2LS5IATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 - 80V 7mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSZ070N08LS5ATMA1 - 80V 7mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSZ070N08LS5ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSZ011NE2LS5IATMA1 BSZ011NE2LS5IATMA1 - 25V 1.1mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ011NE2LS5IATMA1 - 25V 1.1mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ011NE2LS5IATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ011NE2LS5IATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS™ 5 (80 V logic-level) —
Polarity / Channel Type N-Channel enhancement mode —
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 74 A (Tc, per datasheet) —
Continuous Drain Current (ID) at TA / Si [DATA_NEEDED: TA-rated ID] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 7 mΩ —
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic-level (drive compatible with 4.5 V) 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V)
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total Qg] —
Power Dissition PD max at TC 69 W —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55 °C to +150 °C —
প্যাকেজ PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) Surface Mount PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020, unleaded reflow) MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Reel Quantity 5000 per 13-inch reel (T&R) —
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS 5 (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 35 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 40 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V — 1.1 mΩ (typical, per datasheet title)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.1 W
Power Dissipation at TC=25°C — 69 W
Gate Drive Voltage (recommended) — 4.5 V to 10 V
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55°C to +150°C
Lead-Free — Yes
হ্যালোজেন মুক্ত — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট