BSZ070N08LS5ATMA1 vs BSZ011NE2LS5IATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSZ070N08LS5ATMA1 bằng Infineon và BSZ011NE2LS5IATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSZ011NE2LS5IATMA1 - 25V 1.1mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
BSZ011NE2LS5IATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSZ070N08LS5ATMA1 | BSZ011NE2LS5IATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS™ 5 (80 V logic-level) | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel enhancement mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 74 A (Tc, per datasheet) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA / Si | [DATA_NEEDED: TA-rated ID] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | 7 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | Logic-level (drive compatible with 4.5 V) | 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V) |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total Qg] | — |
| Power Dissition PD max at TC | 69 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 °C to +150 °C | — |
| Hộp | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) Surface Mount | PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, unleaded reflow) | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Reel Quantity | 5000 per 13-inch reel (T&R) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Technology | — | OptiMOS 5 (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 35 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 40 A |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.1 mΩ (typical, per datasheet title) |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 69 W |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 4.5 V to 10 V |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55°C to +150°C |
| Lead-Free | — | Yes |
| Đông trùng haogen | — | Yes |