BSZ070N08LS5ATMA1 vs BSZ011NE2LS5IATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSZ070N08LS5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSZ011NE2LS5IATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ070N08LS5ATMA1 - 80V 7mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSZ070N08LS5ATMA1 - 80V 7mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSZ070N08LS5ATMA1 ✓ فعال
Infineon
BSZ011NE2LS5IATMA1 BSZ011NE2LS5IATMA1 - 25V 1.1mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ011NE2LS5IATMA1 - 25V 1.1mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSZ011NE2LS5IATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSZ070N08LS5ATMA1 BSZ011NE2LS5IATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS™ 5 (80 V logic-level) —
Polarity / Channel Type N-Channel enhancement mode —
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 74 A (Tc, per datasheet) —
Continuous Drain Current (ID) at TA / Si [DATA_NEEDED: TA-rated ID] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 7 mΩ —
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic-level (drive compatible with 4.5 V) 1.0 V to 2.0 V (typical 1.5 V)
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total Qg] —
Power Dissition PD max at TC 69 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +150 °C —
پیکیج PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) Surface Mount PG-TSDSON-8-34 (PQFN 3.3x3.3 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020, unleaded reflow) MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
Reel Quantity 5000 per 13-inch reel (T&R) —
FET Type — N-Channel
Technology — OptiMOS 5 (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 35 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 40 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10 V — 1.1 mΩ (typical, per datasheet title)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.1 W
Power Dissipation at TC=25°C — 69 W
Gate Drive Voltage (recommended) — 4.5 V to 10 V
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55°C to +150°C
Lead-Free — Yes
ہیلوجن فری — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں