BSZ096N10LS5ATMA1 vs BSZ130N03LSGATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSZ096N10LS5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSZ130N03LSGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ096N10LS5ATMA1 - 100V 9.6mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSZ096N10LS5ATMA1 - 100V 9.6mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

BSZ096N10LS5ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03LSGATMA1 - 30V OptiMOS N-FET, 35A, PG-TSDSON-8 | Infineon

BSZ130N03LSGATMA1 - 30V OptiMOS N-FET, 35A, PG-TSDSON-8 | Infineon

BSZ130N03LSGATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSZ096N10LS5ATMA1 BSZ130N03LSGATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS max) 100 V —
Gate-Source Voltage (VGS max) 20 V (typical) —
Continuous Drain Current (ID, TC=25 °C) 40 A —
Maximum Silicon Drain Current (ID max) 62 A —
Pulse Drain Current (ID,pulse) 160 A —
On-Resistance RDS(on) max 9.6 mΩ at VGS=10 V —
Total Power Dissipation (Ptot, TC=25 °C) 69 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Logic-level (low single-volt range) —
Diode Continuous Forward Current (IS) 40 A (TC=25 °C) —
Diode Forward Voltage (VSD) 0.85 V typ, 1.2 V max at IF=20 A —
প্যাকেজ PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) PG-TSDSON-8 (8-PowerTDFN, 5x6 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 °C to +150 °C (junction) -55 C to +150 C (junction)
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET —
Gate Drive Logic-level compatible —
ESD Protection Yes (gate-integrated) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Packaging Code ATMA1 (tape and reel) —
Part Family — OptiMOS 25V / 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Ta=25 C) — 10 A
কন্টিনিউয়াস ড্রেইন কারেন্ট (TC=25°C) — 35 A
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V — 13 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ @ Vds=Vgs, Id=250uA — 2.2 V
Power Dissipation (Ta) — 2.1 W
Power Dissipation (Tc) — 25 W
MSL লেভেল — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
হ্যালোজেন মুক্ত — Yes
Qualification — Industrial / Commercial (non-automotive)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট