BSZ100N03MSGATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSZ100N03MSGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUC60N04S6L030HATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
BSZ100N03MSGATMA1 - 30V N-Ch OptiMOS 40A TSDSON-8 MOSFET | Infineon
BSZ100N03MSGATMA1 ✓ সক্রিয়Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | BSZ100N03MSGATMA1 | IAUC60N04S6L030HATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 25V / 30V | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Configuration | Single with built-in body diode | Half-Bridge (2 N-Channel) |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 10 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 30 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: ±20 V typical per datasheet; verify in datasheet] | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| প্যাকেজ | PG-TSDSON-8 (5x6 mm) | PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) |
| Terminal Finish | Tin (Pb-free) | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +150C (junction) | — |
| Qualification | JEDEC - target application qualified | — |
| Avalanche Tested | 100% (per JEDEC) | — |
| RoHS Compliance | Compliant (Pb-free plating) | — |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes (per IEC 61249-2-21) | — |
| RDS(on) at VGS=10V (typical) | [DATA_NEEDED: see datasheet Diagram 1] | — |
| Gate Charge Qg (typical) | [DATA_NEEDED: see datasheet] | — |
| MSL লেভেল | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Part Series | — | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TJ | — | 60 A |
| On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V | — | 3.0 mOhm (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | — | 35 nC |
| Output Capacitance (Coss) | — | 2.128 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 596 pF |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC | — | 75 W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55 C to +175 C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (per part number suffix) |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |