IAUC60N04S6N044ATMA1 vs ISC0703NLSATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IAUC60N04S6N044ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও ISC0703NLSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IAUC60N04S6N044ATMA1 - 40V 4.4mΩ 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IAUC60N04S6N044ATMA1 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IAUC60N04S6N044ATMA1 | ISC0703NLSATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Technology | OptiMOS-6 N-channel trench MOSFET | Trench MOSFET (OptiMOS family) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | [DATA_NEEDED: max V_GS rating] | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25°C | 60 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc=100°C | [DATA_NEEDED: pulsed/current derated value] | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=10V | 4.4 mΩ | — |
| On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=4.5V | [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS=4.5V] | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | [DATA_NEEDED: typical gate charge] | — |
| Power Dissipation (P_D) at Tc=25°C | 42 W | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55°C to +175°C | — |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8 (5x6 mm) with exposed pad | PG-TDSON-8 (5x6 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL লেভেল | 1 (unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified (IAUC prefix) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 13 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 57 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 44 W |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55C to +150C (junction) |
| Standard Package Quantity | — | 5,000 (reel) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS rating] |