IAUCN04S7L006ATMA1 vs IAUC60N06S5L073ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IAUCN04S7L006ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUC60N06S5L073ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IAUCN04S7L006ATMA1 IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 - 40V 0.6mΩ 175A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7L006ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IAUC60N06S5L073ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC60N06S5L073ATMA1 - 60V 60A OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC60N06S5L073ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IAUCN04S7L006ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A —
R_DS(on) Max 0.6 mΩ at V_GS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 °C to +175 °C -55C to +175C
প্যাকেজ PG-TDSON-8-43 PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS-7 trench Trench (OptiMOS 5)
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
পিন সংখ্যা 8 —
Packaging Tape and Reel (ATMA1) —
Polarity Single N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 60 A
On-Resistance RDS(on) max — 7.3 mΩ
Total Gate Charge (QG) — 17.4 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 52 W
পিনের সংখ্যা — 8
Configuration — Single N-Channel
Qualification — AEC-Q101 automotive grade
MSL লেভেল — [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Thermal Resistance RθJA — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-ambient]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট