IAUCN04S7L019ATMA1 vs BSC0901NSATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IAUCN04S7L019ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC0901NSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IAUCN04S7L019ATMA1 | BSC0901NSATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ 7 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | 120 A | — |
| R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10V | 1.91 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max value] | — |
| Gate Charge (Q<sub>g</sub>) | [DATA_NEEDED: Qg total/nominal value] | — |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-33 | TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55°C to +175°C (junction) | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | [DATA_NEEDED: Pd max at 25C] | — |
| থার্মাল রেজিস্ট্যান্স, জাংশন-টু-অ্যাম্বিয়েন্ট | [DATA_NEEDED: RthJA value] | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| MSL লেভেল | 1 | — |
| Packaging | Tape & Reel (13-inch reel) | — |
| Standard Pack Quantity | 5000 pieces | — |
| Ordering Code Suffix | ATMA1 (Tape & Reel 13") | — |
| Part Family | — | OptiMOS 30V |
| Technology | — | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 28 A |
| On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 80 mJ |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 69 W |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55C to +150C |
| আর্দ্রতা সংবেদনশীলতার মাত্রা (MSL) | — | 1 |
| Built-in Body Diode | — | Yes |
| Configuration | — | Single N-Channel with Built-in Diode |