IAUCN04S7L019ATMA1 vs BSC0901NSATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN04S7L019ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC0901NSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IAUCN04S7L019ATMA1 | BSC0901NSATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS™ 7 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) | 120 A | — |
| R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10V | 1.91 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max value] | — |
| Gate Charge (Q<sub>g</sub>) | [DATA_NEEDED: Qg total/nominal value] | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-33 | TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55°C to +175°C (junction) | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | [DATA_NEEDED: Pd max at 25C] | — |
| تھرمل ریزسٹنس، جنکشن سے ایمبیئنٹ | [DATA_NEEDED: RthJA value] | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 | — |
| Packaging | Tape & Reel (13-inch reel) | — |
| Standard Pack Quantity | 5000 pieces | — |
| Ordering Code Suffix | ATMA1 (Tape & Reel 13") | — |
| Part Family | — | OptiMOS 30V |
| Technology | — | N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 28 A |
| On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) typical] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 80 mJ |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 69 W |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55C to +150C |
| نمی حساسیت کی سطح (MSL) | — | 1 |
| Built-in Body Diode | — | Yes |
| Configuration | — | Single N-Channel with Built-in Diode |