IAUCN04S7N009ATMA1 vs IAUZN04S7L030ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IAUCN04S7N009ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUZN04S7L030ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IAUZN04S7L030ATMA1 IAUZN04S7L030ATMA1 - 40V 3.05mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN04S7L030ATMA1 - 40V 3.05mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN04S7L030ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IAUCN04S7N009ATMA1 IAUZN04S7L030ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 7 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A —
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V 0.96 mΩ —
Gate Drive Voltage (V_GS) 10 V —
প্যাকেজ PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm²
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রা -55C to +175C —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
MSL লেভেল 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS স্ট্যাটাস Compliant —
Configuration Single N-Channel —
Supplier Device Package PG-TDSON-8-34 —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 60 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tj) — 100 A
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) — 3.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 58 W
Operating Junction Temperature (Tj) — -55C to +175C
Technology Family — OptiMOS-7
Channel Type — N-Channel
Automotive Qualification — AEC-Q101 (Automotive OptiMOS)
RoHS Compliance — Compliant

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট