IAUCN04S7N009ATMA1 vs IAUZN04S7L030ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN04S7N009ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUZN04S7L030ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUCN04S7N009ATMA1 IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 - 40V 0.96mΩ 175A OptiMOS 7 | Infineon

IAUCN04S7N009ATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUZN04S7L030ATMA1 IAUZN04S7L030ATMA1 - 40V 3.05mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN04S7L030ATMA1 - 40V 3.05mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

IAUZN04S7L030ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUCN04S7N009ATMA1 IAUZN04S7L030ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 7 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) 175 A —
R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V 0.96 mΩ —
Gate Drive Voltage (V_GS) 10 V —
پیکیج PG-TDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm²
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +175C —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
MSL لیول 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Configuration Single N-Channel —
Supplier Device Package PG-TDSON-8-34 —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 60 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tj) — 100 A
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) — 3.05 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 58 W
Operating Junction Temperature (Tj) — -55C to +175C
Technology Family — OptiMOS-7
Channel Type — N-Channel
Automotive Qualification — AEC-Q101 (Automotive OptiMOS)
RoHS Compliance — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں