IAUCN08S7L033ATMA1 vs IAUC50N08S5N102ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IAUCN08S7L033ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUC50N08S5N102ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IAUC50N08S5N102ATMA1 - 80V 50A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC50N08S5N102ATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IAUCN08S7L033ATMA1 | IAUC50N08S5N102ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | Automotive OptiMOS 7 | OptiMOS 5 |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 3.3 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 130 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 118 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55°C to +175°C (TJ) | -55°C to +175°C |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) | AEC-Q101 |
| Technology | OptiMOS 7 trench MOSFET | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| MSL লেভেল | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 50 A |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1394 pF @ 40 V |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 60 W |
| প্যাকেজ / কেস | — | PG-TDSON-8-33 |