IAUCN08S7L033ATMA1 vs IAUC50N08S5N102ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IAUCN08S7L033ATMA1 توسط Infineon و IAUC50N08S5N102ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IAUCN08S7L033ATMA1 | IAUC50N08S5N102ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | Automotive OptiMOS 7 | OptiMOS 5 |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 3.3 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 130 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 118 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) | — |
| محدوده دمای کاری | -55°C to +175°C (TJ) | -55°C to +175°C |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) | AEC-Q101 |
| Technology | OptiMOS 7 trench MOSFET | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| سطح MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 50 A |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 10.2 mΩ @ 25 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1394 pF @ 40 V |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 60 W |
| بسته‌بندی / کیس | — | PG-TDSON-8-33 |