IAUZ40N08S5N100ATMA1 vs IAUZ40N06S5L050ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IAUZ40N08S5N100ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUZ40N06S5L050ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 ✓ সক্রিয়Infineon
IAUZ40N06S5L050ATMA1 - 60V 90A 5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUZ40N06S5L050ATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IAUZ40N08S5N100ATMA1 | IAUZ40N06S5L050ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Technology | OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | OptiMOS 5 (super-junction N-channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 68 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 10 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge Qg typ | 24.2 nC @ VGS=10 V | — |
| Input Capacitance Ciss | 1591 pF @ VDS=40 V | — |
| Gate-Source Voltage VGS max | ±20 V | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| প্যাকেজ | PG-TDSON-8 (S3O8) 3.3 × 3.3 mm | PG-TSDSON-8-33 (TSDSON-8) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q100 qualified |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | — | [DATA_NEEDED: continuous drain current at Tc=25C] |
| Drain Current at T<sub>j</sub> | — | 90 A |
| R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10V | — | 5 mΩ |
| R<sub>DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>=10V, I<sub>D</sub>=20A | — | 6.4 mΩ |
| Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> | — | 2.2 V at 29 µA |
| Total Gate Charge Q<sub>G</sub> | — | 28.2 nC |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | — | 71 W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55 °C to +175 °C |