IAUZN10S7L289ATMA1 vs IAUCN10S5L110TATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IAUZN10S7L289ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IAUCN10S5L110TATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IAUCN10S5L110TATMA1 - 100V 61A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L110TATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IAUZN10S7L289ATMA1 | IAUCN10S5L110TATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-7 | — |
| Technology | Trench MOSFET (N-Channel) | N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | 27 A | — |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25°C) | 45 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on), max, VGS=10V) | 28.9 mΩ | — |
| প্যাকেজ | PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Grade | AEC-Q100 qualified (Automotive MOSFET) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55°C to +175°C (Tj) | — |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL1 (260°C peak reflow) |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| পিন সংখ্যা | 8 | — |
| RoHS Compliance | Yes | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 61 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 11.3 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 88 W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55 °C to +175 °C |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature] |
| Avalanche Rated | — | 100% Avalanche Tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Extended Qualification |