IAUZN10S7L289ATMA1 vs IAUCN10S5L110TATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUZN10S7L289ATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN10S5L110TATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUCN10S5L110TATMA1 - 100V 61A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L110TATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUZN10S7L289ATMA1 | IAUCN10S5L110TATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS-7 | — |
| Technology | Trench MOSFET (N-Channel) | N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | 27 A | — |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25°C) | 45 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on), max, VGS=10V) | 28.9 mΩ | — |
| पैकेज | PG-TSDSON-8-44 (S3O8, 3x3 mm²) | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Grade | AEC-Q100 qualified (Automotive MOSFET) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +175°C (Tj) | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL1 (260°C peak reflow) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| पिन काउंट | 8 | — |
| RoHS Compliance | Yes | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 61 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 11.3 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 88 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 °C to +175 °C |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature] |
| Avalanche Rated | — | 100% Avalanche Tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Extended Qualification |