IPB021N10NM5LF2ATMA1 vs ISK057N04LM6ATLA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPB021N10NM5LF2ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও ISK057N04LM6ATLA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPB021N10NM5LF2ATMA1 IPB021N10NM5LF2ATMA1 - 100V 2.1mΩ Linear FET MOSFET | Infineon

IPB021N10NM5LF2ATMA1 - 100V 2.1mΩ Linear FET MOSFET | Infineon

IPB021N10NM5LF2ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
ISK057N04LM6ATLA1 ISK057N04LM6ATLA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISK057N04LM6ATLA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISK057N04LM6ATLA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPB021N10NM5LF2ATMA1 ISK057N04LM6ATLA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 Linear FET 2 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C 176 A —
Continuous Drain Current (I_D) at T_A=25°C 30 A —
R_DS(on) Maximum 2.1 mΩ —
Gate-Source Voltage (V_GS) Maximum ±20 V [DATA_NEEDED: absolute max rated V_GS] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min] —
Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C 375 W —
Power Dissipation (P_D) at T_A=25°C 3.8 W —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: confirm from datasheet operating junction range] -55 °C to +150 °C
প্যাকেজ PG-TO263-3-2 (D2PAK, surface mount, 3 pins + tab) —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Drive Voltage (Max R_DS(on), Min R_DS(on)) 10 V, 15 V —
Technology OptiMOS 5 trench-gate MOSFET (Linear FET optimized) Trench (OptiMOS 6)
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: confirm MSL rating from manufacturer datasheet] 1
Series — OptiMOS 6
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 64 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — [DATA_NEEDED: ID at TA=25C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max]
RDS(on) typical at VGS=10V — 5.7 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge (Qg total) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 39.1 W
প্যাকেজ / কেস — PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2)
Packaging — Tape & Reel (TR)
DigiKey Part Number — 448-ISK057N04LM6ATLA1TR-ND

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট