IPB021N10NM5LF2ATMA1 vs ISK057N04LM6ATLA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB021N10NM5LF2ATMA1 מאת Infineon ו ISK057N04LM6ATLA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPB021N10NM5LF2ATMA1 IPB021N10NM5LF2ATMA1 - 100V 2.1mΩ Linear FET MOSFET | Infineon

IPB021N10NM5LF2ATMA1 - 100V 2.1mΩ Linear FET MOSFET | Infineon

IPB021N10NM5LF2ATMA1 ✓ פעיל
Infineon
ISK057N04LM6ATLA1 ISK057N04LM6ATLA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISK057N04LM6ATLA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISK057N04LM6ATLA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPB021N10NM5LF2ATMA1 ISK057N04LM6ATLA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 5 Linear FET 2 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C 176 A —
Continuous Drain Current (I_D) at T_A=25°C 30 A —
R_DS(on) Maximum 2.1 mΩ —
Gate-Source Voltage (V_GS) Maximum ±20 V [DATA_NEEDED: absolute max rated V_GS] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min] —
Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C 375 W —
Power Dissipation (P_D) at T_A=25°C 3.8 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: confirm from datasheet operating junction range] -55 °C to +150 °C
מארז PG-TO263-3-2 (D2PAK, surface mount, 3 pins + tab) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Drive Voltage (Max R_DS(on), Min R_DS(on)) 10 V, 15 V —
Technology OptiMOS 5 trench-gate MOSFET (Linear FET optimized) Trench (OptiMOS 6)
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL [DATA_NEEDED: confirm MSL rating from manufacturer datasheet] 1
Series — OptiMOS 6
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 64 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — [DATA_NEEDED: ID at TA=25C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max]
RDS(on) typical at VGS=10V — 5.7 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Charge (Qg total) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 39.1 W
מארז / Case — PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2)
Packaging — Tape & Reel (TR)
DigiKey Part Number — 448-ISK057N04LM6ATLA1TR-ND

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר