IPB072N15N3GATMA1 vs IPB107N20N3GATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPB072N15N3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPB107N20N3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 - 150V 100A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

IPB072N15N3GATMA1 - 150V 100A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

IPB072N15N3GATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 - 200V 88A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon

IPB107N20N3GATMA1 - 200V 88A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon

IPB107N20N3GATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPB072N15N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 3 (trench MOSFET) OptiMOS 3 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 150 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=100C) [DATA_NEEDED: I_D at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed I_DM] —
Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) 300 W —
R_DS(on) typical at VGS=10V 7.2 mOhm —
R_DS(on) max at VGS=10V [DATA_NEEDED: max R_DS(on) at VGS=10V] —
Gate-Source Voltage (V_GS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: Q_g typical at VGS=10V] —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +175 C [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
প্যাকেজ PG-TO263-3-2 (D2PAK-2, 3 pins + tab) PG-TO263-3 (D2PAK)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse E_AS) —
Intrinsic Body Diode Yes (low Q_rr, sync-rectifier capable) —
Manufacturer Ordering Code Suffix GATMA1 (tape and reel, 1000 pcs) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
ট্রানজিস্টর টাইপ — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 88 A
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc — 300 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 9.6 milliohm (typical, per third-party listing)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
পিন সংখ্যা — 3 (Drain, Source, Gate) + Tab

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট