IPB100N12S305ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPB100N12S305ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC076N04NDATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPB100N12S305ATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS Power MOSFET | — |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 100 A (Tc) | 20 A (Tc) |
| Power Dissipation (PD) | 300 W (Tc) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 4.8 mOhm (typical) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 185 nC | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +175 C (TJ) | — |
| প্যাকেজ / কেস | PG-TO263-3-1 (D2PAK, surface mount) | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| পিনের সংখ্যা | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | — |
| আর্দ্রতা সংবেদনশীলতার মাত্রা (MSL) | MSL1 (up to 260 C peak reflow) | — |
| Avalanche Tested | 100% Avalanche Tested | — |
| RoHS Compliance | RoHS Compliant (Green Product) | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55 C to +175 C |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |
| FET Type | — | 2x N-Channel MOSFET array |