IPB35N10S3L26ATMA1 vs BSC109N10NS3GATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPB35N10S3L26ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC109N10NS3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPB35N10S3L26ATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1 - 100V 35A N-Ch OptiMOS-T MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA1 - 100V 35A N-Ch OptiMOS-T MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC109N10NS3GATMA1 BSC109N10NS3GATMA1 - 100V 63A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC109N10NS3GATMA1 - 100V 63A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC109N10NS3GATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPB35N10S3L26ATMA1 BSC109N10NS3GATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS-T —
Channel Type N-Channel —
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 35 A —
Power Dissipation (PD) at TC 71 W —
Package Type PG-TO263-3 (D2PAK-2) —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
পিন সংখ্যা 3 (Gate, Drain, Source) 8
Channel Mode Enhancement —
RDS(on) (typical per Infineon product page) 26.3 mΩ —
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80 nC —
Maximum Drain-Source Resistance Rds 1.7 mΩ (per RS Components listing) —
Minimum Operating Temperature -55 C —
Maximum Power Dissipation Pd 81 W (per RS Components listing) —
RoHS স্ট্যাটাস [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
AEC-Q101 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 63 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 78 W
RDS(on) Max — 10.9 mOhm at VGS=10 V
Technology — OptiMOS 3
প্যাকেজ — PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Charge (Qg) — 26 nC
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55C to +175C
Avalanche Energy Rated — Yes
Lead-Free — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট