IPB35N10S3L26ATMA1 vs BSC109N10NS3GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB35N10S3L26ATMA1 tarafından Infineon ve BSC109N10NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPB35N10S3L26ATMA1 | BSC109N10NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS-T | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 35 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 71 W | — |
| Package Type | PG-TO263-3 (D2PAK-2) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 3 (Gate, Drain, Source) | 8 |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| RDS(on) (typical per Infineon product page) | 26.3 mΩ | — |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80 nC | — |
| Maximum Drain-Source Resistance Rds | 1.7 mΩ (per RS Components listing) | — |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | — |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81 W (per RS Components listing) | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| AEC-Q101 Qualification | [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 63 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 78 W |
| RDS(on) Max | — | 10.9 mOhm at VGS=10 V |
| Technology | — | OptiMOS 3 |
| Paket | — | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg) | — | 26 nC |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +175C |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |