IPD082N10N3GATMA1 vs IPD038N06NF2SATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD082N10N3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPD038N06NF2SATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 - 100V N-Channel OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon

IPD082N10N3GATMA1 - 100V N-Channel OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon

IPD082N10N3GATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IPD038N06NF2SATMA1 IPD038N06NF2SATMA1 - 60V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPD038N06NF2SATMA1 - 60V 120A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

IPD038N06NF2SATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPD082N10N3GATMA1 IPD038N06NF2SATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Part Number IPD082N10N3GATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS 3 (Trench N-Channel) OptiMOS (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 80 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 8.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 125 W —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55°C to +175°C -55°C to +175°C
প্যাকেজ / কেস PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
পিন সংখ্যা 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Automotive Qualified (AEC-Q101) Not applicable (industrial/consumer grade) —
Lead-Free Yes —
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 20 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 3.85 mΩ max
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Typical Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 68 nC
Input Capacitance (Ciss) — 6700 pF
Output Capacitance (Coss) — 670 pF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 43 pF
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 107 W
প্যাকেজ — PG-TO252-3 (DPAK)
Channel Mode — Enhancement

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট