IPD082N10N3GATMA1 vs IPD038N06NF2SATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD082N10N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD038N06NF2SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPD082N10N3GATMA1 - 100V N-Channel OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon
IPD082N10N3GATMA1 ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD082N10N3GATMA1 | IPD038N06NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Part Number | IPD082N10N3GATMA1 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench N-Channel) | OptiMOS (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C | 80 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | 8.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | 125 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55°C to +175°C | -55°C to +175°C |
| پیکیج / کیس | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualified (AEC-Q101) | Not applicable (industrial/consumer grade) | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 20 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.85 mΩ max |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Typical Gate Charge (Qg) at VGS=10V | — | 68 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 6700 pF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 670 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 43 pF |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 107 W |
| پیکیج | — | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Channel Mode | — | Enhancement |