IPD11DP10NMATMA1 vs IPD50N06S409ATMA2 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD11DP10NMATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPD50N06S409ATMA2 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPD11DP10NMATMA1 | IPD50N06S409ATMA2 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -100 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 3.4 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 22 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 125 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 111 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) at ID=18A, VGS=10V | 111 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V (typ at 1.7 mA) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | 74 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 230 pF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 63 pF | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 °C to +175 °C | — |
| প্যাকেজ | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ Trench | N-Channel MOSFET (OptiMOS) |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 50 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | — | 9 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55 °C to +175 °C |
| পিন সংখ্যা | — | 3 (2 + Tab) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | [DATA_NEEDED] |