IPD80R600P7ATMA1 vs IPD60R360P7SAUMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD80R600P7ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPD60R360P7SAUMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPD80R600P7ATMA1 | IPD60R360P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 8 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 22 A | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 600 mΩ at VGS=10V | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 60 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V (typical) | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | ±30 V | — |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | 20 mJ | — |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | 0.17 mJ | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +150 C | -55C to +150C (junction) |
| প্যাকেজ | PG-TO252-3 (DPAK) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS P7 super-junction | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| Polarity | N-Channel | — |
| MSL লেভেল | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 9 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 360 mOhm (typ, VGS = 10 V) |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 41 W |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.0 V to 4.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| প্যাকেজ / কেস | — | PG-TO252-3 (DPAK) |
| পিনের সংখ্যা | — | 3 |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |
| Channel Type | — | N-Channel |