IPD80R600P7ATMA1 vs IPD60R360P7SAUMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD80R600P7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD60R360P7SAUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD80R600P7ATMA1 | IPD60R360P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 8 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 22 A | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 600 mΩ at VGS=10V | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 60 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V (typical) | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | ±30 V | — |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | 20 mJ | — |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | 0.17 mJ | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +150 C | -55C to +150C (junction) |
| پیکیج | PG-TO252-3 (DPAK) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS P7 super-junction | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| Polarity | N-Channel | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 9 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 360 mOhm (typ, VGS = 10 V) |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 41 W |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.0 V to 4.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| پیکیج / کیس | — | PG-TO252-3 (DPAK) |
| پنز کی تعداد | — | 3 |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| Channel Type | — | N-Channel |