IPD80R600P7ATMA1 vs IPD60R360P7SAUMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD80R600P7ATMA1 द्वारा Infineon और IPD60R360P7SAUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD80R600P7ATMA1 | IPD60R360P7SAUMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 8 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 22 A | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 600 mΩ at VGS=10V | — |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | 60 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V (typical) | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | ±30 V | — |
| Avalanche Energy, Single Pulse (EAS) | 20 mJ | — |
| Avalanche Energy, Repetitive (EAR) | 0.17 mJ | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +150 C | -55C to +150C (junction) |
| पैकेज | PG-TO252-3 (DPAK) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS P7 super-junction | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| Polarity | N-Channel | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 9 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 360 mOhm (typ, VGS = 10 V) |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 41 W |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.0 V to 4.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| पैकेज / केस | — | PG-TO252-3 (DPAK) |
| पिन की संख्या | — | 3 |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Channel Type | — | N-Channel |