IPD90N10S406ATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD90N10S406ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPD65R380E6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPD65R380E6ATMA1 - 650V CoolMOS E6 MOSFET 380mΩ 10.6A | Infineon
IPD65R380E6ATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPD90N10S406ATMA1 | IPD65R380E6ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD90N10S406ATMA1 | — |
| Family / Series | OptiMOS | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | 90 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | 136 W | — |
| Gate Drive Level | Normal Level (10 V typical Vgs) | — |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | 250 mJ | — |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | -55 °C to +175 °C | — |
| Storage Temperature Range | -55 °C to +175 °C | — |
| প্যাকেজ / কেস | PG-TO252-3-313 (DPAK) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| পিনের সংখ্যা | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| MSL লেভেল | MSL1 (260 °C peak reflow) | 1 |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| RoHS Compliance | Green Product (RoHS compliant) | — |
| Built-in Body Diode | Yes (single with built-in diode) | — |
| Avalanche Tested | 100% Avalanche tested | — |
| Packaging | Tape & Reel (Cut Tape / Reel options available) | — |
| Series | — | CoolMOS™ E6 |
| Technology | — | Superjunction (CoolMOS™) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 10.6 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 380 mΩ |
| R_DS(on) test conditions | — | 3.2 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V typ |
| Gate Charge (Q_G) | — | 39 nC at 10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 710 pF at 100 V |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 83 W |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55 °C to +150 °C |
| প্যাকেজ | — | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |