IPG20N06S2L65ATMA1 vs IPG20N04S408ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPG20N06S2L65ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPG20N04S408ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IPG20N04S408ATMA1 IPG20N04S408ATMA1 - Dual N-Ch 40V 20A 7.6mOhm OptiMOS | Infineon

IPG20N04S408ATMA1 - Dual N-Ch 40V 20A 7.6mOhm OptiMOS | Infineon

IPG20N04S408ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N04S408ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type Dual N-Channel, Logic Level Dual N-Channel
Technology OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V) OptiMOS (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A per channel —
RDS(on) at VGS=10V 65 mΩ typical —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (logic level) —
Total Power Dissipation (Ptot) 43 W —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55°C to +175°C —
প্যাকেজ PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
MSL লেভেল MSL1 (260°C peak reflow) MSL1 (260 degC peak reflow)
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
RoHS Compliance RoHS Compliant (Green Product) —
Packaging Tape & Reel (TMA1 suffix) —
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, per channel) — 20 A at 25 degC case
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 7.6 mOhm
Maximum Power Dissipation (P_D) — 65 W
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55 degC to +175 degC
AEC-Q101 Qualified — Yes
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant (Green Product)
Avalanche Rated — 100 percent tested
Channel Count — 2 (independent)
Operating Mode — Enhancement mode, Normal Level

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট