IPG20N06S2L65ATMA1 vs IPG20N04S408ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPG20N06S2L65ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPG20N04S408ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 - Dual N-Ch 55V 20A MOSFET | Infineon

IPG20N06S2L65ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPG20N06S2L65ATMA1 IPG20N04S408ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type Dual N-Channel, Logic Level Dual N-Channel
Technology OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V) OptiMOS (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) 20 A per channel —
RDS(on) at VGS=10V 65 mΩ typical —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (logic level) —
Total Power Dissipation (Ptot) 43 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +175°C —
پیکیج PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP) PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول MSL1 (260°C peak reflow) MSL1 (260 degC peak reflow)
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
RoHS Compliance RoHS Compliant (Green Product) —
Packaging Tape & Reel (TMA1 suffix) —
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, per channel) — 20 A at 25 degC case
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 7.6 mOhm
Maximum Power Dissipation (P_D) — 65 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 degC to +175 degC
AEC-Q101 Qualified — Yes
RoHS اسٹیٹس — Compliant (Green Product)
Avalanche Rated — 100 percent tested
Channel Count — 2 (independent)
Operating Mode — Enhancement mode, Normal Level

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں