IPN80R1K2P7ATMA1 vs IPN80R1K4P7ATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPN80R1K2P7ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPN80R1K4P7ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 1.2Ω N-MOSFET | Infineon

IPN80R1K2P7ATMA1 - 800V CoolMOS P7 1.2Ω N-MOSFET | Infineon

IPN80R1K2P7ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 - 800V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN80R1K4P7ATMA1 - 800V 4A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN80R1K4P7ATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Family / Series CoolMOS P7 —
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage VDSS 800 V —
Continuous Drain Current ID (Tc) 4.5 A —
Maximum RDS(on) 1200 mΩ at VGS = 10 V —
Power Dissipation PD (Tc) 6.8 W —
Gate-Source Voltage VGSS [DATA_NEEDED: VGSS absolute maximum] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Technology Superjunction (CoolMOS) Superjunction (CoolMOS P7)
প্যাকেজ SOT-223 (3-pin, 2 + tab) PG-SOT223 (surface mount)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55°C to +150°C (TJ) -55C to +150C
ESD Protection ESD-protected gate (per CoolMOS P7 family) —
RoHS Compliance Compliant —
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Product Family — CoolMOS P7 (500V-950V)
Drain-Source Voltage (VDS) — 800 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 4 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 1200 mOhm
Power Dissipation (Tc) — 7 W
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (max)
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant
Grade — Industrial

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট