IPP60R180P7XKSA1 vs IPP60R190P6XKSA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPP60R180P7XKSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPP60R190P6XKSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IPP60R180P7XKSA1 IPP60R180P7XKSA1 - 600V 18A 180mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPP60R180P7XKSA1 - 600V 18A 180mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPP60R180P7XKSA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 - 600V CoolMOS P6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPP60R190P6XKSA1 - 600V CoolMOS P6 N-Channel MOSFET | Infineon

IPP60R190P6XKSA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IPP60R180P7XKSA1 IPP60R190P6XKSA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) Superjunction (SJ) MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation PD at TC=25°C 72 W —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 °C to +150 °C -55C to +150C (junction)
প্যাকেজ PG-TO220-3 (through-hole) PG-TO220-3 (through-hole)
মাউন্টিং টাইপ Through Hole Through Hole
পিনের সংখ্যা 3 (Gate, Drain, Source) —
Avalanche Energy Rated Yes —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL লেভেল N/A (through-hole) Not applicable (through-hole)
Product Family — CoolMOS P6
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 20.2 A
On-Resistance RDS(on) max at 25C — 190 mOhm
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C — 151 W
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Product Variant — XKSA1 (industrial grade, tube pack)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট