IPP60R180P7XKSA1 vs IPP60R190P6XKSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPP60R180P7XKSA1 بذریعہ Infineon اور IPP60R190P6XKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPP60R180P7XKSA1 IPP60R190P6XKSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) Superjunction (SJ) MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation PD at TC=25°C 72 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C -55C to +150C (junction)
پیکیج PG-TO220-3 (through-hole) PG-TO220-3 (through-hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
پنز کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) —
Avalanche Energy Rated Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL لیول N/A (through-hole) Not applicable (through-hole)
Product Family — CoolMOS P6
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 20.2 A
On-Resistance RDS(on) max at 25C — 190 mOhm
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C — 151 W
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Product Variant — XKSA1 (industrial grade, tube pack)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں