IPP60R180P7XKSA1 vs IPP60R190P6XKSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPP60R180P7XKSA1 tarafından Infineon ve IPP60R190P6XKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPP60R180P7XKSA1 IPP60R190P6XKSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology CoolMOS P7 (Superjunction N-Channel) Superjunction (SJ) MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 18 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current at TC=25°C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 180 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: total gate charge at VGS=10V] —
Power Dissipation PD at TC=25°C 72 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C -55C to +150C (junction)
Paket PG-TO220-3 (through-hole) PG-TO220-3 (through-hole)
Montaj Türü Through Hole Through Hole
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) —
Avalanche Energy Rated Yes —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL Seviyesi N/A (through-hole) Not applicable (through-hole)
Product Family — CoolMOS P6
Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 20.2 A
On-Resistance RDS(on) max at 25C — 190 mOhm
Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C — 151 W
Gate Drive Voltage (typical) — 10 V
Product Variant — XKSA1 (industrial grade, tube pack)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin