IPTC017N12NM6ATMA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPTC017N12NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPT017N12NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPTC017N12NM6ATMA1 - 120V 1.7mΩ 331A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IPTC017N12NM6ATMA1 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPTC017N12NM6ATMA1 | IPT017N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Technology | OptiMOS 6, N-channel trench MOSFET | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 32 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 331 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 1.7 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | 2.4 V (typ) | — |
| Total Gate Charge QG | 141 nC at VGS = 10 V | — |
| Input Capacitance Ciss | 2.4 nF at VDS = 60 V | — |
| Output Capacitance Coss | 11000 pF at VDS = 60 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 395 W | — |
| প্যাকেজ | PG-HDSOP-16 (Surface Mount) | PG-HSOF-8 (TOLL) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55 °C to +175 °C (TJ max) | -55C to +175C |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPT017N12NM6ATMA1 |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 331 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 1.7 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 395 W |
| পিন সংখ্যা | — | 8 + tab |
| Packaging | — | Tape & Reel |