IPTC017N12NM6ATMA1 vs IPT017N12NM6ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPTC017N12NM6ATMA1 מאת Infineon ו IPT017N12NM6ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPTC017N12NM6ATMA1 | IPT017N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Technology | OptiMOS 6, N-channel trench MOSFET | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 120 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 32 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 331 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 1.7 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | 2.4 V (typ) | — |
| Total Gate Charge QG | 141 nC at VGS = 10 V | — |
| Input Capacitance Ciss | 2.4 nF at VDS = 60 V | — |
| Output Capacitance Coss | 11000 pF at VDS = 60 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 395 W | — |
| מארז | PG-HDSOP-16 (Surface Mount) | PG-HSOF-8 (TOLL) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | -55 °C to +175 °C (TJ max) | -55C to +175C |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPT017N12NM6ATMA1 |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 29 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 331 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 1.7 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 395 W |
| מספר פינים | — | 8 + tab |
| Packaging | — | Tape & Reel |